Описание
Технические характеристики изделия:
1 Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 3 дюйма
3 диаметр и допуск: 76,2 ± 0,3 мм
4 Толщина: 400um
5 Модель: N тип
6 сопротивление: 15-45/Ω ● см
7 направление: <111>
8 полированных: двухсторонний полированный
9. основные области применения: PVD/CVD покрытие подложки, магнетронное распыление, XRD, SEM, образец атомной силы роста, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентный спектроскопический анализ подложки, подложка, Молекулярный луч эптриосного роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Характеристики
- Габаритные размеры
- diameter * thickness = 76.2mm * 400um
- Номер модели
- Crystal orientation 111/ Model N
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon